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 韓国Samsung Electronics(サムスン)社は16GビットのLPDDR4X型DRAMメモリーの量産を、第2世代10nmクラス(1y-nm)プロセスで開始した(ニュースリリース)。同社は、第1世代10nmクラス(1x-nm)プロセスで16GビットのLPDDR4X型DRAMを量産してきた。

8GバイトのLPDDR4XモバイルDRAMパッケージ。Samsungの写真
8GバイトのLPDDR4XモバイルDRAMパッケージ。Samsungの写真
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 1x-nmプロセスで作る既存のLPDDR4X型DRAMと同じく(関連記事1)、1y-nmで作る新製品の転送速度は最大4226Mビット/秒。それでいて、消費電力を1x-nm製品と比較して10%低減したとする。同社は1y-nmプロセスで作るDRAM製品を全体の7割以上に引き上げる予定で、第1弾として2017年12月に8GビットDDR4型DRAMの量産を2017年12月に開始した(関連記事2)。今回の16GビットLPDDR4X型は第2弾に当たる。

 また同社は今回の製品を4つ封止した8GバイトのLPDDR4XモバイルDRAMパッケージを用意している。4チャネルで34.1Gバイト/秒の転送速度を実現しつつ、1x-nmプロセスで作る第1世代品を利用したものより20%薄型化したという。今後、4Gバイトや6GバイトのLPDDR4XモバイルDRAMパッケージを揃える予定。

モバイルDRAMの量産開始の軌跡(2012年以降)。なおSamsungはLPDDR5の開発完了を2018年7月に発表している(<b><a href="https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/news/18/02162/" target="_blank">関連記事</a></b>)。現時点ではLPDDR5の量産開始は未定
モバイルDRAMの量産開始の軌跡(2012年以降)。なおSamsungはLPDDR5の開発完了を2018年7月に発表している(関連記事)。現時点ではLPDDR5の量産開始は未定
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