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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ)社は、前世代品に比べてオン抵抗を36%削減した+60V耐圧のパワーMOSFET「SiR626DP」を発売した(ニュースリリース)。同社の新しいパワーMOSFETプロセス技術「60V TrenchFET Gen IV」で製造した。nチャネル品である。

前世代品に比べてオン抵抗を36%削減した+60V耐圧のパワーMOSFET
前世代品に比べてオン抵抗を36%削減した+60V耐圧のパワーMOSFET
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 特徴は、オン抵抗が1.7mΩ(ドレイン-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低いことに加えて、全ゲート電荷量が52nC(標準値)と小さいことにある。つまり、オン抵抗と全ゲート電荷量の積で求める「FOM(Figure Of Merit)」が優れている。DC-DCコンバーターなどの電源回路に使えば、導通損失とスイッチング損失の両方を削減でき、結果として変換効率を高めることが可能になる。AC-DCコンバーター(スイッチング電源)の同期整流回路や、DC-DCコンバーター、太陽光発電用マイクロインバーター、モーター駆動回路、バッテリー/負荷スイッチなどに向ける。

 最大ドレイン電流は、連続時に100A、パルス時に200Aである。ドレイン-ソース間電圧が+7.5Vのときのオン抵抗は2.0mΩ(最大値)、ドレイン-ソース間電圧が+6Vのときは2.6mΩ(最大値)である。入力容量は5130pF(標準値)。出力容量は992pF(標準値)。帰還容量は94pF(標準値)。ゲート抵抗は0.91Ω(標準値)。パッケージはPowerPAK SO-8。動作温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。