PR

 韓国Samsung Electronics(サムスン)は、MRAMブロックを埋め込んだ(embedded MRAM:eMRAM)IC(チップ)の量産を28nm FD-SOIプロセス(28FDS)で開始した(ニュースリリース)。同社は以前からeMRAMを28FDSの差異化ポイントの1つとしており(関連記事1)、昨年(2018年)には設計に使うeMRAM向けのソフトウエア(ジェネレーター)を英Armが開発して量産に向けた整備が進んでいた(関連記事2)。

追加マスクは3枚で済む。Samsungのビデオからキャプチャー
追加マスクは3枚で済む。Samsungのビデオからキャプチャー
[画像のクリックで拡大表示]

 Samsungによれば、今回発表されたeMRAMは28FDSプロセスにマスクを3枚追加するだけで実現できるという。eMRAMの特徴として、従来の埋め込みフラッシュメモリー(eNVM)と比較して、書き込み時電力が400分の1、書き込み速度が1000倍で、かつり耐久性が高いことを挙げる。同社のeMRAMは、18nmのFD-SOI(18FDS)やバルクCMOSのFinFETプロセスでも利用可能だという。

 現在、eMRAMを集積する28FDSチップの製造は同社の器興(キーフン)にある工場で行われている。また同社は高密度eMRAMのオプションを提供予定で、例えば、1GビットのeMRAMのテストチップを2019年中にテープアウトする計画である。