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 東芝デバイス&ストレージは、オン抵抗を低減した+100V耐圧のパワーMOSFETを2製品発売した(ニュースリリース)。連続時の最大ドレイン電流が70Aの「XPH4R10ANB」と、連続時の最大ドレイン電流が45Aの「XPH6R30ANB」を用意した。いずれもnチャネル品である。パッケージは2製品どちらも、外形寸法が5mm×5mm×0.95mmのSOP Advance(WP)に封止した。同社によると、「ウエッタブルフランク構造を採用しており、基板実装の状態を外観検査することが可能だ。このため車載機器の信頼性向上に貢献する」という。

オン抵抗を低減した100V耐圧の車載向けMOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真
オン抵抗を低減した100V耐圧の車載向けMOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真
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 オン抵抗は、XPH4R10ANBが4.1mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)で、XPH6R30ANBが6.3mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)とどちらも低い。「業界トップクラスの低オン抵抗を達成した」(同社)。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠した。車載用DC-DCコンバーターや、LEDヘッドライト、モーター駆動機器などに向ける。

 XPH4R10ANBのパルス時の最大ドレイン電流は210A。ゲート電荷量は75nC(標準値)。入力容量は4970pF(標準値)。帰還容量は300pF(標準値)。出力容量は1940pF(標準値)。ゲート抵抗は2.1Ω(標準値)。XPH6R30ANBのパルス時の最大ドレイン電流は135A。ゲート電荷量は52nC(標準値)。入力容量は3240pF(標準値)。帰還容量は200pF(標準値)。出力容量は1270pF(標準値)。ゲート抵抗は2.0Ω(標準値)である。最大動作チャネル温度は、2製品どちらも+175℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。