独Infineon Technologies（インフィニオン）は、SOI（Silicon On Insulator）技術で製造した＋650V（最大フローティング電圧）対応のゲートドライバーIC「2ED218x」を発売した（ニュースリリース）。ゲートドライバー回路を2つ内蔵した。ハイサイドスイッチとローサイドスイッチから構成されたハーフブリッジ回路を駆動できる。駆動可能なスイッチング素子は、nチャネル型MOSFETとIGBTである。
最大の特徴は、ブートストラップダイオードを集積した点にある。このため負の過渡電圧に対する耐性が100Vと高く、インバーター回路を構成するMOSFETやIGBTのラッチアップ耐性を引き上げることができる。この結果、「今回の新製品を搭載した機器の信頼性を高められると同時に、部品（BOM）コストを削減できる」という。駆動能力は、ソース（吐き出し）時とシンク（吸い込み）時どちらも2.5Aと大きい。伝搬遅延時間は、ターンオン時とターンオフ時どちらも標準値が200ns、最大値が300ns。ターンオン時とターンオフ時の伝搬遅延時間の整合特性は35ns（最大値）である。誘導加熱器やエアコン用コンプレッサー、スイッチング電源モジュール、無停電電源装置（UPS）などに向ける。静電気放電（ESD）耐圧は、人体帯電モデル（HBM）で±2kVを確保した。パッケージは8端子SOPと14端子SOPを用意した。動作温度範囲は−40〜＋125℃である。
このほか、ソース（吐き出し）時とシンク（吸い込み）時の駆動能力がどちらも0.7Aの＋650V対応ゲートドライバーIC「2ED210x」も併せて発売した。パッケージは8端子SOPと14端子SOPを用意した。動作温度範囲は−40〜＋125℃である。
2製品どちらもすでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。
