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 東芝デバイス&ストレージは、最新の製造プロセス技術を採用することでオン抵抗を削減した車載機器向けMOSFETを2製品発売した(ニュースリリース)。−40V耐圧のpチャネル型MOSFET「SSM6J808R」と、+100V耐圧のnチャネル型MOSFET「SSM6K819R」の2製品である。SSM6J808Rは、pチャネル型MOSFETの製造プロセス技術としては同社最新の「U-MOSVI」を採用。SSM6K819Rは、nチャネル型MOSFETの同社最新の製造プロセス技術である「U-MOSVIII-H」を使った。

オン抵抗を削減した車載機器向け小型MOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真
オン抵抗を削減した車載機器向け小型MOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真

 2製品どちらも、「業界トップクラスの低オン抵抗を実現した」(同社)という。SSM6J808Rのオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに48mΩ(標準値)。SSM6K819Rは、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに36.4mΩ(標準値)である。パッケージはどちらも、外形寸法が2.9mm×2.2mm×0.8mmのTSOP6F。8端子SOP封止品と比較すると実装面積を約70%削減できる。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠している。自動車に搭載するヘッドライトや方向指示器(ターンライト)、昼間点灯(デイタイム・ランニング・ライト)などの点灯制御用スイッチに向ける。

 SSM6J808Rの最大ドレイン電流はDC(直流)時に−7A、パルス時に−35A。ゲートの漏れ電流は±100μA(最大値)ゲート電荷量は24.2nC(標準値)。入力容量は1020pF(標準値)。出力容量は136pF(標準値)。帰還容量は169pF(標準値)である。SSM6K819R最大ドレイン電流はDC(直流)時に10A、パルス時に40A。ゲートの漏れ電流は±10μA(最大値)ゲート電荷量は8.5nC(標準値)。入力容量は1110pF(標準値)。出力容量は375pF(標準値)。帰還容量は55pF(標準値)である。2製品どちらも、価格は明らかにしていない。