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 オランダNexperia(ネクスペリア)は、オン抵抗が0.57mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低い+25V耐圧パワーMOSFET「PSMNR51-25YLH」を発売した(ニュースリリース)。nチャネル品である。同社によると、「同種の製品の中では、業界最小のオン抵抗を実現した」という。このほか、連続時の最大ドレイン電流が380Aと大きく、安全動作領域(SOA:Safe Operating Area)が広いことも特徴とする。ホットスワップ(活線挿抜)回路や、電子ヒューズ、電源回路のオアリング(ORing)回路、DC(直流)スイッチ、負荷スイッチ、バッテリー保護回路、モーター駆動回路、DC-DCコンバーターの同期整流回路などに向ける。

オン抵抗が0.57mΩと低い+25V耐圧のパワーMOSFET。Nexperiaのイメージ
オン抵抗が0.57mΩと低い+25V耐圧のパワーMOSFET。Nexperiaのイメージ
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 同社独自のパワーMOSFETプロセス技術「NextPowerS3」で製造した。パルス時の最大ドレイン電流は2174A。ゲート-ソース間のしきい値電圧は、最小値が+1.2Vで、最大値が+2.2V。ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときのオン抵抗は0.82mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は53nC(標準値)。入力容量は6991pF(標準値)。出力容量は3861pF(標準値)。帰還容量は645pF(標準値)である。パッケージは、実装面積が5mm×6mmのLFPAK56。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。