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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、オン抵抗が2.35mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)と低い+80V耐圧のnチャネル型パワーMOSFET「SiR680ADP」を発売した(ニュースリリース)。全ゲート電荷量は55nC(標準値)と少ない。オン抵抗と全ゲート電荷量の積である性能指数(FOM:Figure of Merit)は129.25mΩ・nCと小さい。同社によると、「競合他社の同等品と比べると、FOMは12.2%小さく、当社の前世代品と比較すると22.5%小さい」という。

 一般に、オン抵抗が低ければ電源回路の導通損失を低減でき、全ゲート電荷量が少なければスイッチング損失を抑えられる。従って、電源回路の変換効率を高められる。具体的な応用先は、スイッチング電源の1次側スイッチ素子や2次側整流回路、DC-DCコンバーターのスイッチ素子、電源モジュールのオアリング(ORing)回路、太陽光発電向けマイクロインバーター、電動工具のモーター駆動回路、バッテリー保護用スイッチ素子などである。

オン抵抗が2.35mΩと低い+80V耐圧パワーMOSFET。Vishay Intertechnologyの写真
オン抵抗が2.35mΩと低い+80V耐圧パワーMOSFET。Vishay Intertechnologyの写真
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 同社独自のパワーMOSFET製造技術「TrenchFET Gen IV」で製造した。最大ドレイン電流は、連続時に125A、パルス時に300A。ゲート-ソース間のしきい値電圧は、最小値が+2V、最大値が+3.5V。入力容量は4415pF(標準値)。出力容量は614pF(標準値)。帰還容量は26pF(標準値)。ゲート抵抗は0.88Ω(標準値)である。パッケージは、実装面積が6.15mm×5.15mmのPowerPAK SO-8。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産出荷を始めている。価格は、明らかにしていない。