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 米Qorvoは、対応する周波数帯域が2G〜20GHzと広く、RF出力が10Wを超えるGaN(窒化ガリウム)パワーアンプIC「TGA2962」を発売した(ニュースリリース)。さらに電力利得(大信号利得)は13dBと大きく、電力付加効率(PAE)は38.0%(2GHz時の標準値)と高い。同社によると、「GaNパワーアンプICの3つの性能、すなわちRF出力と電力利得、電力付加効率についてブレークスルーを達成した。現時点で、いずれの性能も業界最高である」という。新製品を採用すれば、搭載した電子機器の性能や信頼性を改善できるだけでなく、部品点数と実装面積、コストを削減できるとしている。レーダーやテスト機器、計測器、電子戦向け電子機器などに向ける。

対応する周波数帯域が2G〜20GHzと広く、RF出力が10Wを超えるGaNパワーアンプIC。Qorvoのイメージ
対応する周波数帯域が2G〜20GHzと広く、RF出力が10Wを超えるGaNパワーアンプIC。Qorvoのイメージ
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 同社独自のGaNプロセス技術「QGaN15」で製造した。SiC(炭化ケイ素)基板を採用し、その上にGaN素子を作成するプロセスである。RF出力は、2GHz時に41.3dBm(標準値)、10GHz時に41.3dBm(標準値)、20GHz時に40.3dBm(標準値)。電力付加効率は、10GHz時に26.1%(標準値)、20GHz時に22.3%(標準値)。小信号利得は、2GHz時に19.6dB(標準値)、10GHz時に20.0dB(標準値)、20GHz時に19.7dB(標準値)。RF入力端子の反射損失は、2GHz時に14dB(標準値)、10GHz時に12dB(標準値)、20GHz時に13dB(標準値)。RF出力端子の反射損失は、2GHz時に17dB(標準値)、10GHz時に14dB(標準値)、20GHz時に10dB(標準値)である。

 バイアス電圧は+22Vで、バイアス電流は1.68A。RF入出力端子の特性インピーダンスは50Ω。DC(直流)ブロッキングコンデンサーやRFチョークコイルは内蔵した。ダイの状態で出荷する。ダイの面積は3.24mm×3.24mmである。動作温度範囲は−40〜+85℃。現在、一部のユーザーに向けて出荷を始めている。価格は明らかにしていない。