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 東芝デバイス&ストレージは、オン抵抗が1.92mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低い+100V耐圧のパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した(ニュースリリース)。同社の最新プロセス技術を適用することに加えて、低抵抗のパッケージであるTO-220SM(W)に封止することでオン抵抗を1.92mΩに抑えた。同社によると、「業界トップクラスの低オン抵抗を実現した。当社従来品であるTK160F10N1Lと比較すると、オン抵抗は約20%減である」という。さらにMOS構造を最適化することでスイッチング雑音を抑えた。このため新製品を搭載した電子機器から放射される電磁雑音(EMI)を低減できるとする。

オン抵抗が1.92mΩと低い+100V耐圧のパワーMOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真
オン抵抗が1.92mΩと低い+100V耐圧のパワーMOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真
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 nチャネル品であり、同社のトレンチ構造パワーMOSFETの新しい製品ファミリー「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」に含まれるものだ。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。48V系電源で動作する車載機器の負荷スイッチやスイッチング電源、モーター駆動などに向ける。

 最大ドレイン電流は、直流(DC)時に160Aで、パルス時に480A。ドレインの遮断電流は10μA(最大値)と少ない。ゲートのしきい値電圧は、最小値が+2.5Vで、最大値が+3.5Vである。しきい値の電圧幅(最大値と最小値の差)が1Vと狭いため、並列使用時のスイッチング同期性を高められるという。ゲート-ソース間電圧が+6Vのときのオン抵抗は3.31mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は184nC(標準値)。入力容量は11500pF(標準値)。帰還容量は730pF(標準値)。出力容量は4400pF(標準値)。ゲート抵抗は2.4Ω(標準値)である。最大動作チャネル温度は+175℃。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。