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 東芝デバイス&ストレージは、既存製品に比べて低電流化が図れるIGBT/MOSFET駆動向けフォトカプラー「TLP5231」を発売した(ニュースリリース)。後段にpチャネルもしくはnチャネルのコンプリメンタリーMOSFETバッファーを外付けして使う。MOSFETバッファーで増幅し、IGBTやMOSFETのゲートを駆動する。すなわち、新製品はプリドライバーとして働く。産業用インバーター装置、太陽光発電用パワーコンディショナー無停電電源装置(UPS)、交流(AC)モーターやブラシレス直流(DC)モーターの駆動などに向ける。

複数の保護機能を内蔵したIGBT/MOSFET駆動向けフォトカプラー。東芝デバイス&ストレージの写真
複数の保護機能を内蔵したIGBT/MOSFET駆動向けフォトカプラー。東芝デバイス&ストレージの写真
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 同社によると、「当社従来品では、バイポーラートランジスタで構成したバッファー回路を使う必要があったため、動作中は常にベース電流を消費していた。しかし新製品では、コンプリメンタリーMOSFETを使用できるので、電流を消費するのはゲート充放電時のみで、低消費電力化を図れる」という。さらに、外付けするコンプリメンタリーMOSFETの選択によって、さまざまなIGBT/MOSFETのゲートを駆動できる。「中電流から大電流のIGBT/MOSFETの駆動が可能」(同社)としている。

 赤外光LEDと2個の受光ICを組み合わせて構成した。つまり、出力を2チャネル備える。出力ピーク電流は±2.5A(最大値)。スレッシュホールド入力電流は3.5mA(最大値)。伝搬遅延時間は300ns(最大値)。瞬時コモンモード除去電圧(CMTI)は±25kV/μs(最小値)。絶縁耐圧は±5kVを確保した。

 コレクター電圧モニターによる過電流検出時や低電圧検出時にフォールト信号を1次側に出力する機能や、IGBTやMOSFETの非飽和検出機能、ソフト・ゲート・ターン・オフ機能、低電圧ロックアウト(UVLO)機能などを搭載した。安全規格として、「UL 1577」のほか、cULやVDE、CQCの認定を受けている。パッケージは16端子SOPで、空間距離と沿面距離はどちらも8.0mmを確保した。動作温度範囲は−40〜+110℃。価格は明らかにしていない。