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 米GLOBALFOUNDRIESは、同社の22nm FD-SOIプロセス「22FDX」で製造するICに、MRAMを埋め込めるようになった(embedded MRAM/eMRAMが可能になった)と発表した(ニュースリリース)。eMRAMが可能な22FDXは、クルマやIoT、エッジAIといったアプリケーションで使う低消費電力ICの製造を狙うとする。

 発表されたeMRAMは、埋め込みフラッシュメモリー(埋め込みNORフラッシュメモリー/eFlash)の置き換えを想定する。このeMRAMは、-40~+125℃環境での書き換え寿命10万回とデータ保持期間10年を保証する試験をクリアし、5種類の厳しいはんだリフローのテストもパスしたという。現在、このeMRAMを集積したICは、車載ICの品質基準「AEC-Q100グレード2」(グレード2の使用温度範囲は-40~+105℃)に準拠可能で、来年(2021年)には「AEC-Q100グレード1」(同-40~+125℃)に準拠できるように開発を進めているとする。

eMRAMとeFlashを比較
eMRAMとeFlashを比較
GLOBALFOUNDRIESの図
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 同社は、今回のeMRAMを利用するためのデザインキットを提供中である。このデザインキットを使うことで、4M~48MビットのMRAMマクロを設計中のICに簡単に埋め込めるという。このMRAMマクロ向けの自己テスト(Built-In-Self-Test:BIST)機能を付加するオプションを用意している。eMRAMが可能な22FDXプロセスは、独ドレスデンにある同社のFab 1で、300mmウエハーを使った量産に適用できる(関連記事「FinFETの性能を平面バルク並みの価格で、GLOBALFOUNDRIESが22nm FDSOIを発表」)。