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 トレックス・セミコンダクターは、オン抵抗を削減したpチャネル型MOSFETを2製品発売した(ニュースリリース)。発売した2製品は、「XP231P02013R」と「XP232P05013R」である。どちらも耐圧は−30Vである。オン抵抗が低いことに加えて、高速なスイッチング特性を備えていることが特徴だ。さらに、静電気放電(ESD)対策としてゲート保護ダイオードを内蔵した。リレー回路やスイッチング回路などに向ける。

低オン抵抗のpチャネル型MOSFET。
低オン抵抗のpチャネル型MOSFET。
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 XP231P02013Rの最大ドレイン電流は、連続時(DC時)に−0.2A、パルス時に−0.4A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに3.2Ω(標準値)、−2.5Vのときに4Ω(標準値)。入力容量は34pF(標準値)。出力容量は7pF(標準値)。帰還容量は2.5pF(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は18ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は80ns(標準値)。立ち上がり時間は20ns(標準値)。立ち下がり時間は45ns(標準値)である。

 XP232P05013Rの最大ドレイン電流は、連続時(DC時)に−0.45A、パルス時に−0.9A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに0.95Ω(標準値)、−2.5Vのときに1.45Ω(標準値)。入力容量は56pF(標準値)。出力容量は10pF(標準値)。帰還容量は6pF(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は15ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は80ns(標準値)。立ち上がり時間は20ns(標準値)。立ち下がり時間は45ns(標準値)である。

 2製品どちらもパッケージは、外形寸法が2.1mm×1.25mm×0.95mmのSOT-323-3A。最大動作接合部温度は+150℃。すでに量産を始めている。参考単価は100円(税別)である。