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 東芝デバイス&ストレージは、同社従来品に比べてオン抵抗を約40%削減した+80V耐圧のパワーMOSFET「U-MOS X-H(ユー・モス・テン・エイチ)シリーズ」を発売した(ニュースリリース)。同社の最新プロセス技術を採用することでオン抵抗を削減した。さらに、素子構造を最適化することで全ゲート電荷量も減らしたという。一般に、オン抵抗と全ゲート電荷量はトレードオフの関係にある。今回は、最新プロセス技術と素子構造の最適化でこのトレードオフ関係を改善し、「業界トップの低電力損失特性を実現した」(同社)としている。スイッチング電源(AC-DCコンバーター)やDC-DCコンバーター、モーター制御機器などに向ける。

発売した+80V耐圧パワーMOSFETのパッケージ。左がSOP Advance、右がTSON Advance。東芝デバイス&ストレージの写真
発売した+80V耐圧パワーMOSFETのパッケージ。左がSOP Advance、右がTSON Advance。東芝デバイス&ストレージの写真
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 パッケージが異なる2製品を用意した。実装面積が5.0mm×6.0mmのSOP Advanceに封止した「TPH2R408QM」と、実装面積が3.3mm×3.3mmのTSON Advanceに封止した「TPN19008QM」である。どちらもnチャネル品だ。

 TPH2R408QMの最大ドレイン電流は、連続(DC)時に120A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.43mΩ(最大値)、+6Vのときに3.5mΩ(最大値)とどちらも低い。全電荷量は87nC(標準値)。入力容量は5870pF(標準値)。ドレインの遮断電流は10μA(最大値)と少ない。

 TPN19008QMの最大ドレイン電流は、連続(DC)時に34A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに19mΩ(最大値)、+6Vのときに28.5mΩ(最大値)。全電荷量は16nC(標準値)と少ない。入力容量は1020pF(標準値)。ドレインの遮断電流は10μA(最大値)である。

 2製品どちらも最大動作チャネル温度は+175℃を保証する。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。今後同社は、最新プロセス技術を適用したパワーMOSFETの製品ラインナップを拡充する計画だという。