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 中国・清華紫光集団(Tsinghua Unigroup)傘下のメモリーメーカーである中国YMTC(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.、長江存儲科技)は、128層積層の3D NANDフラッシュメモリー「X2-6070」を発表した(ニュースリリース1)。1個のメモリーセルに4ビットを入れるQLC(Quad Level Cell)を採用し、チップ全体のメモリー容量は1.33Tビットに達する。

128層積層の1.33TビットQLC 3D NANDフラッシュメモリー
128層積層の1.33TビットQLC 3D NANDフラッシュメモリー
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 YMTCによれば、X2-6070のサンプル品がSSDコントローラーの複数のパートナー企業で検証を完了したとしており、これにより業界最大のビット密度、最速のI/O速度、最大のメモリー容量のフラッシュメモリーを提供可能になったとする。同社は今回、128層積層でTLC(Triple Level Cell)採用の容量512Gビットの「X2-9060」も発表し、さまざまなアプリケーションニーズに対応できるとしている。

 同社は2019年9月に、64層積層でTLCの3D NANDフラッシュメモリーの量産を開始した(ニュースリリース2)。容量は256Gビットで、Xtackingと呼ぶ独自の製造手法を適用したチップである。Xtackingでは、データI/Oとメモリーセル動作の信号処理をするCMOS周辺回路と3D NANDメモリー・セル・アレーを別々のウエハー上に作製し、それらをウエハーレベルで張り合わせる(関連記事「NAND大手が火花、中国紫光集団系の新興が参戦」)。

 今回発表の128層積層のX2-6070とX2-9060は、Xtackingを改善したXtacking Version 2.0で製造したとする。Version 2.0でどのような改善を施したかは明らかにしていないが、その改善によってI/O部は1.2Vの外部電圧で1端子当たり1.6Gビット/秒の転送速度を実現したという。

 同社のGrace Gong氏(SVP of Marketing and Sales)によれば、X2-6070はまずコンシューマ向けSSD製品に適用される。長期的にはエンタープライズ/データセンター向けSSDに採用される予定だという。なお、本記事の執筆時点では、新製品の量産出荷の具体的な時期などの詳細は未公表である。