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 東芝デバイス&ストレージは、順方向電圧と総電荷量の積で求める性能指数を同社従来品に比べて約67%低減したSiC(炭化ケイ素)ショットキー・バリアー・ダイオードを発売した(ニュースリリース)。繰り返しピーク逆電圧(VRRM)は+650V。TO-220F-2Lパッケージ封止の「TRS12A65F」と、TO-220-2Lパッケージ封止の「TRS12E65F」を用意した。

順方向電圧と総電荷量の積で求める性能指数を約67%低減したSiCショットキー・バリアー・ダイオード。
順方向電圧と総電荷量の積で求める性能指数を約67%低減したSiCショットキー・バリアー・ダイオード。
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 同社第2世代の「改良型JBS(Junction Barrier Controlled Schottky)構造」を採用した。第1世代の改良型JBS構造を採用した製品と比べると性能指数を低減することが可能になり、電源回路に適用した際の電力損失や発熱量を抑えられるようになった。その結果、電源回路の高効率化や、放熱設計の簡略化を実現できるとしている。新製品の順方向電流は12Aと大きい。このため、大電力化が求められる電子機器への適用が可能だ。具体的な応用先は、無線通信基地局やサーバー、電気自動車(EV)用充電設備、レーザー加工機、有機ELテレビ、オーディオ用アンプ、プロジェクター、複写機などの電源回路である。

 非繰り返しピーク電流(IFSMは、TRS12A65Fが92A、TRS12E65Fが97A。逆方向電流はどちらも0.6μA(標準値)と少ない。順方向電圧は1.45V(標準値)。総電荷量は30nC(逆方向電圧が+0.1〜400Vのときの標準値)である。接合部とケース感の熱抵抗は、TRS12A65Fが3.65℃/W(最大値)、TRS12E65Fが1.3℃/W(最大値)。最大動作接合部温度は+175℃である。価格は明らかにしていない。