PR

 独Infineon Technologies(インフィニオン)は、+1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETモジュールを発売した(ニュースリリース)。同社のトレンチ型SiCパワーMOSFET「CoolSiC」を2個使用し、ハーフブリッジ回路を構成している。これを同社独自の「62mmパッケージ(ハウジング)」に封止した。実装面積は106.4mm×61.4mm。特徴は、オン抵抗が低く、ドレイン電流が大きいことだ。オン抵抗が2mΩ(標準値)で最大ドレイン電流が500Aの「FF2MR12KM1/FF2MR12KM1P」、オン抵抗が3mΩ(標準値)で最大ドレイン電流が357Aの「FF3MR12KM1/FF3MR12KM1P」、オン抵抗が6mΩ(標準値)で最大ドレイン電流が250Aの「FF6MR12KM1/FF6MR12KM1P」を用意した。

低オン抵抗の1200V耐圧SiCパワーMOSFETモジュール
低オン抵抗の1200V耐圧SiCパワーMOSFETモジュール
Infineon Technologiesの写真
[画像のクリックで拡大表示]

 同社によると、「今回の新製品は、250kWを超える中電力用途に適用できる。IGBTを採用した当社従来の62mmパッケージ品では、電力密度による制限で適用できなかった」という。具体的な応用先は、太陽光発電用インバーターやサーバー用電源モジュール、エネルギー貯蔵システム、電気自動車用充電器、トラクションインバーター、誘導加熱機調理器などである。

 例えば、オン抵抗が2mΩ(標準値)で最大ドレイン電流が500AのFF2MR12KM1とFF2MR12KM1Pの特性は以下の通り。パルス時の最大ドレイン電流は1000A。ゲートのしきい値電圧は、最小値が3.45Vで、最大値が5.15V。全ゲート電荷量は1.34μC(標準値)。ゲート抵抗は0.8Ω(標準値)。入力容量は39.7nF(標準値)。出力容量は2.20nF(標準値)。帰還容量は0.302nF(標準値)である。動作温度範囲は−40〜+150℃。なお、FF2MR12KM1とFF2MR12KM1Pの違いは放熱材料の適用の有無にある。FF2MR12KM1Pには、62mmパッケージに熱抵抗を下げる材料を適用してあるが、FF2MR12KM1には適用していない。

 6製品いずれも、価格は明らかにしていない。