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 ルネサスエレクトロニクスは、SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)プロセスで製造する組み込みコントローラーIC「REファミリ」の「RE01グループ」に、フラッシュメモリー容量が256Kバイトの製品を加えた(ニュースリリース)。SOTBは一般的なCMOSプロセスに比べて、低消費電力のICが実現できることが特徴である。REファミリはエナジーハーベスト(環境発電)での動作が可能だとする。

72ボールWLBGAパッケージ封止の新製品(中央)と応用例のイメージ
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ルネサスのイメージ
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 SOTBは日立制作所時代に開発が始まった技術で、20年以上の開発期間を経て製品適用された。製品適用の第1弾が「REファミリ」の「RE01グループ」である(関連記事:開発に苦節20年のエナジーハーベスト”マイコン”、ルネサスが量産開始)。第1弾製品のフラッシュメモリー容量/SRAM容量は1.5Mバイト/256Kバイトだった。今回、追加されたのは、フラッシュメモリー容量/SRAM容量が256Kバイト/128Kバイトの製品である。既存の1.5Mバイトのフラッシュメモリー集積品は、画像データや無線通信でのファームウエアアップデートにおいて大容量メモリーが必要なアプリケーションに向けていたが、256Kバイトのフラッシュメモリー集積の新製品はスマートホームや、スマートビルディング、環境センシング、構造物モニタリング、トラッカー、ウェアラブル機器など、主にセンサー制御用のIoT機器に向けるという。

1.5Mバイトのフラッシュメモリーを集積した既存製品(上の行)と256Kバイトの新製品(下の行)の主な仕様
1.5Mバイトのフラッシュメモリーを集積した既存製品(上の行)と256Kバイトの新製品(下の行)の主な仕様
ルネサスの表
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新製品の応用例
新製品の応用例
ルネサスの図
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