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 東芝デバイス&ストレージは、同社の第2世代に当たるSiC(炭化ケイ素)ショットキー・バリアー・ダイオードの品ぞろえを拡充した(ニュースリリース)。今回追加したのは4製品で、その内訳は順方向電流の定格値が12Aの「TRS12N65FB」と、16Aの「TRS16N65FB」、20Aの「TRS20N65FB」、24Aの「TRS24N65FB」である。繰り返しピーク逆電圧(VRRM)は+650Vで、パッケージはTO-247である。同社によると、「スイッチング電源(AC-DCコンバーター)の力率改善(PFC)回路に適用すれば、変換効率の向上と、小型化を実現できる」という。具体的な応用先は、通信基地局やサーバー、レーザー加工機、電気自動車用給電設備、有機ELテレビ、オーディオアンプ、プロジェクター、複写機などである。

非繰り返しピーク順方向電流が高く、順方向電圧降下が低い第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオード
非繰り返しピーク順方向電流が高く、順方向電圧降下が低い第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオード
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 同社の第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオードでは、「改良型JBS(Junction Barrier controlled Schottky)」と呼ぶ構造を採用する。第1世代品と比べると、非繰り返しピーク順方向電流(IFSM)を高めると同時に、順方向電圧降下(VF)を低減できる。このため「高サージ電流耐量と低電力損失を達成できる」(同社)という。

 発売した4製品の特性は以下の通り。TRS12N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は104A(両レグの場合)。逆方向電流(IR)は0.3μA(標準値)。順方向電圧降下は+1.45V(標準値)。総接合電荷量(Qcj)は15nC(標準値)。TRS16N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は130A(両レグの場合)。逆方向電流は0.4μA(標準値)。順方向電圧降下は+1.45V(標準値)。総接合電荷量は19.4nC(標準値)。TRS20N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は158A(両レグの場合)。逆方向電流は0.5μA(標準値)。順方向電圧降下は+1.45V(標準値)。総接合電荷量は24nC(標準値)。TRS24N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は184A(両レグの場合)。逆方向電流は0.6μA(標準値)。順方向電圧降下は+1.45V(標準値)。総接合電荷量は30nC(標準値)である。

 すでに販売を開始している。価格は明らかにしていない。なお今後同社は、第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオードの品ぞろえをさらに拡充していく予定である。