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 米MACOM Technology Solutionsは、GaN on SiC技術で製造するRFパワーアンプICを2製品発売した(ニュースリリース)。GaN on SiC技術では、SiC(炭化ケイ素)基板の上にGaN(窒化ガリウム)素子を作り込む。同社は、GaN on SiC技術で製造したRFパワーアンプICの製品ラインを「MACOM PURE CARBIDE」と名付け、今回、同ラインの最初の2製品を発表した。

GaN on SiC技術で製造したRFパワーアンプIC
GaN on SiC技術で製造したRFパワーアンプIC
表面実装型セラミックパッケージに封止した「MAPC-A1100」である。MACOM Technology Solutionsのイメージ
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 発売した2製品は、30M〜2.7GHzの周波数帯域で使える「MAPC-A1000」と、DC〜3.5GHzの周波数帯域で使える「MAPC-A1100」である。どちらも特徴は、RF信号出力が高いことだ。MAPC-A1000は25W(44dBm)、MAPC-A1100は65W(48.1dBm)である。航空宇宙用電子機器や防衛用無線機器、レーダー、RFエネルギー伝送、テスト機器、計測器、携帯電話インフラ機器などに向ける。

 2製品どちらも、+50Vの電源電圧で動作する。MAPC-A1000は、表面実装型のプラスチックパッケージに封止。一方、MAPC-A1100は内部に空洞共振器を有する表面実装型セラミックパッケージに封止した。どちらも最大+260℃のリフローはんだ付けに対応する。価格は明らかにしていない。