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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、オン抵抗が1.7mΩ(ゲート-ソース電圧が−10Vのときの最大値)と低い−30V耐圧のパワーMOSFET「SiRA99DP」を発売した(ニュースリリース)。pチャネル品である。実装面積が6.15mm×5.15mmのPowerPAK SO-8パッケージに封止した。同社によると、「今回の新製品は、現在市場で入手できる同様の製品の中でオン抵抗が最も低い。次にオン抵抗が低い製品と比べると43%減を実現した」という。オン抵抗が低いため、並列に接続する素子数を減らすことができる。このため、電力密度を高められるほか、基板上の実装面積を削減できる。主に+12V入力の電源管理回路に向ける。具体的な応用先は、ACアダプターや充電器の電源スイッチや、バッテリーの逆極性保護素子、オアリング(ORing)回路、モーター駆動回路などである。

オン抵抗が1.7mΩの−30V耐圧MOSFET
オン抵抗が1.7mΩの−30V耐圧MOSFET
PowerPAK SO-8パッケージに封止した。Vishay Intertechnologyのイメージ
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 同社独自のパワーMOSFETプロセス技術「TrenchFET Gen IV」で製造した。最大ドレイン電流は連続時に−195A、パルス時に−400Aである。ゲート-ソース電圧が−4.5Vのときのオン抵抗は2.65mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は84nC(標準値)と小さい。このため、オン抵抗と全ゲート電荷量の積で求める性能指数(FOM:Figure Of Merit)は185mΩ×nCと優れている。入力容量は10994pF(標準値)。出力容量は5000pF(標準値)。帰還容量は510pF(標準値)。ゲート抵抗は1.3Ω(標準値)。ターンオン時の遅延時間は23ns(標準値)、ターンオフ時は64ns(標準値)。立ち上がり時間は19ns(標準値)。立ち下がり時間は16ns(標準値である。動作接合部温度範囲は−55~+150℃。すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。