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 米Transphorm(トランスフォーム)は、オン抵抗が50mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)と小さい、+900V耐圧のGaN(窒化ガリウム) FET「TP90H050WS」を発売した(ニュースリリース)。同社従来品「TP90H180PS」と比べると、オン抵抗を大幅に削減したことが特徴だ。従来品は170mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)だった。さらに「新製品は、+1kV程度の過渡的なスパイク電圧に耐えることができる」(同社)という。産業機器や再生可能エネルギー機器などに向ける。具体的な応用先は、太陽光発電向けインバーター装置やバッテリー充電器、無停電電源装置(UPS)、照明器具、エネルギー貯蔵装置などである。

オン抵抗が50mΩと小さい900V耐圧のGaN FET
オン抵抗が50mΩと小さい900V耐圧のGaN FET
Transphormのイメージ
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 GaN FETと低耐圧のSiパワーMOSFETをカスコード接続することでノーマリーオフを実現した。最大ドレイン電流は連続時に34A、パルス時に150A。ゲート-ソース間電圧の定格値は±20V。ゲート-ソース間電圧が+10Vのときのオン抵抗の最大値は63mΩ。全ゲート電荷量は15nC(標準値)。入力容量は1000pF(標準値)。出力容量は115pF(標準値)。帰還容量は3.5pF(標準値)。逆回復電荷量は156nC(標準値)。ターンオン時の遅延時間は48ns(標準値)、ターンオフ時は70ns(標準値)。立ち上がり時間と立ち下がり時間はどちらも12ns(標準値)である。

 ブリッジレスのトーテムポール型力率改善(PFC:Power Factor Correction)回路付きハーフ・ブリッジ・コンバーターに今回の新製品を適用すれば、99%程度の変換効率が得られるという。このハーフ・ブリッジ・コンバーターの出力電力は最大10kWである。パッケージはTO-247。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに販売を開始している。インターネット通販サイトでの単価は18.21米ドルである。