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 米Efficient Power Conversion(EPC)は、オン抵抗が8mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの最大値)と低いGaNパワートランジスタ(FET)「EPC2215」を発売した(ニュースリリース)。+200V耐圧品である。同社は「eGaN(enhancement mode Gallium Nitride on Silicon)パワーFET」と呼ぶ。特徴は、オン抵抗が低いことに加えて、ゲート-ドレイン間の電荷量が1.6nC(標準値)と少なく、実装面積が4.6mm×1.6mmと小さいことにある。同社によると、「従来の+200V耐圧GaN FETと比較すると、実装面積は約半分に削減。低い方が優れている性能指数(FOM)は約1/2に低減した。+200V耐圧のSiパワーMOSFETと比べれば、オン抵抗は約33%減、ゲート-ドレイン間電荷量は80%減、実装面積は1/15を実現した」という。

 具体的な応用先は、+48V出力の同期整流器やD級(クラスD)オーディオアンプ、太陽光発電用マイクロインバーター、DC-DCコンバーター、ブラシレスDC(直流)モーター(BLDC)の駆動回路などである。

オン抵抗が8mΩと低い+200V耐圧GaNパワートランジスタ(FET)
オン抵抗が8mΩと低い+200V耐圧GaNパワートランジスタ(FET)
Efficient Power Conversion(EPC)のイメージ
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 最大ドレイン電流は、連続時に32A、パルス時に162A。ゲート-ソース間電圧は、最小値が−4V、最大値が+6V。全ゲート電荷量は13.6nC(標準値)。出力電荷量は69nC(標準値)。入力容量は1356pF(標準値)。出力容量は390pF(標準値)。帰還容量は2.0pF(標準値)。ゲート抵抗は0.4Ω(標準値)。逆回復電荷量(QRR)はゼロである。動作温度範囲は−40〜+150℃。すでに量産出荷を始めている。2500個購入時の参考単価は2.84米ドルである。

 このほか実装面積が2.9mm×0.9mmと小さく、オン抵抗が22mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの最大値)のGaNパワートランジスタ(FET)「EPC2207」を併せて発売した。最大ドレイン電流は、連続時に14A、パルス時に54A。全ゲート電荷量は4.5nC(標準値)、ゲート-ドレイン間の電荷量は0.7nC(標準値)とどちらも少ない。動作温度範囲は−40〜+150℃。2500個購入時の参考単価は1.49米ドルである。

 さらに、今回の新製品を搭載したハーフブリッジ回路構成の開発ボードも用意した。EPC2215を搭載した開発ボード「EPC9099」と、EPC2207を載せた「EPC90124」である。最大出力電流は前者が15Aで、後者が8Aである。どちらも、ゲートドライバーICには米Texas Instruments(TI)の「LMG1210」を採用した。参考単価はどちらも118.75米ドルである。