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 ルネサス エレクトロニクスは、DDR5型DRAMメモリーモジュール「LRDIMM(Load-Reduced Dual Inline Memory Module)」に搭載するデータバッファーIC「5DB0148」を発表し、このICのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めたことを明らかにした(ニュースリリース)。このメモリーモジュールは、データセンターのサーバーや高性能ワークステーションに向けるものである。

DDR5型DRAMメモリー搭載LRDIMM(Load-Reduced Dual Inline Memory Module)とルネサスの5つの周辺チップ
DDR5型DRAMメモリー搭載LRDIMM(Load-Reduced Dual Inline Memory Module)とルネサスの5つの周辺チップ
(出所:ルネサス)
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 同社は、DDR5型DRAMメモリーと一緒にLRDIMMに搭載する周辺チップとして、RCD(Register Clock Driver)IC「5RCD0148」とPMIC(Power Management IC)「P8900」、SPD(Serial Presence Detect)Hub IC「SPD5118」、温度センサーIC「TS5111」を発表している。今回、データバッファーICの5DB0148を加えたことで、「DDR5メモリーのLRDIMMの周辺チップがそろった」(同社のRami Sethi氏、データセンタ事業部Vice President)とする。

 これら5つの周辺チップを載せたDDR5 LRDIMMのデータ転送速度は4320M転送/秒であり、既存のDDR4 LRDIMMの3200M転送/秒よりも35%速いという。なお、DDR5の仕様では6400M転送/秒が最大であり*、今後、この仕様を目指して第2世代や第3世代の周辺チップをルネサスは開発・提供していくようだ。

 また、Sethi氏によれば、5DB0148の開発では、容量性負荷の削減や、データアライメント技術、信号回復技術を施した。これによって、このICを搭載するDDR5メモリーLRDIMMが大規模で複雑なマザーボードで使われたとしても、最大の動作速度で稼働できるという。