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 三菱電機は、同社の第2世代に当たるフルSiCパワー半導体モジュールを9製品開発し、2021年1月から順次発売する(ニュースリリース)。同社が開発/製造したSiCパワーMOSFETとSiCショットキー・バリアー・ダイオード(SBD)を1つのパッケージに収めたもの。今回の第2世代品では、SiCパワーMOSFETの接合型FET(JFET)領域の不純物濃度を高めて素子を高密度化する「JEFETドーピング技術」を適用した。

 このため、第1世代品で採用したSiCパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗を約15%低減できたという。さらに帰還容量を減らしてスイッチング速度を上げたことで、スイッチング損失を削減できるようになったとする。この結果、「当社の第7世代IGBTモジュールと比べると、電力損失を約70%減らせた」(同社)としている。産業用インバーター装置などに向ける。

産業用インバーターに向けた第2世代のフルSiCモジュール
産業用インバーターに向けた第2世代のフルSiCモジュール
三菱電機の写真
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 定格電圧と定格電流、回路構成、短絡電流制限に向けたRTC(Real Time Control)回路の有無によって9製品を用意した。9製品の主な仕様とサンプル価格などは下表の通り。

発売した9製品の主な仕様とサンプル価格など
発売した9製品の主な仕様とサンプル価格など
三菱電機の表
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