車載アナログパワーICで東芝が新設計技術、職人技廃して体系化

LDMOSトランジスタの構造と2つの重要な特性  負入力耐性は、LDMOS(上図では左側のInjector)が周辺素子(上図では右側のSensor)に及ぼす影響に関係する。ESD耐性はLDMOS自身が被る影響に関係する。東芝デバイス&ストレージのスライド
LDMOSトランジスタの構造と2つの重要な特性
負入力耐性は、LDMOS(上図では左側のInjector)が周辺素子(上図では右側のSensor)に及ぼす影響に関係する。ESD耐性はLDMOS自身が被る影響に関係する。東芝デバイス&ストレージのスライド

カーソルキー(←/→)でも操作できます