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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、オン抵抗が61mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)と低い+200V耐圧のパワーMOSFET「SiSS94DN」を発売した(ニュースリリース)。パッケージは、実装面積が3.3mm×3.3mmと小さいPowerPAK 1212-8Sである。特徴は、オン抵抗が低いことに加えて、オン抵抗と全ゲート電荷量の積である性能指数(FOM:Figure Of Merit)が優れている点にある。FOMは854mΩ×nCと小さい。「同程度の実装面積の競合他社品と比べるとオン抵抗は約20%低い。FOMについては、当社の前世代品と比較して17%削減した」(同社)。また、従来、同じようなオン抵抗を持つ+200V耐圧品のパッケージは、実装面積が6mm×5mmだったという。このため、今回の新製品を使えば基板上の実装面積を65%削減でき、電源回路の電力密度を高められるようになる。

 絶縁型DC-DCコンバーターの1次側のスイッチング素子と2次側の同期整流回路のほか、LED駆動回路やモーター駆動回路、負荷スイッチなどに向ける。具体的な応用機器は、通信機器やコンピューター周辺機器、民生機器、ノートパソコン、薄型テレビ、FA機器などである。

オン抵抗が61mΩと低い200V耐圧のパワーMOSFET
オン抵抗が61mΩと低い200V耐圧のパワーMOSFET
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 nチャネル品である。製造プロセスは、同社独自の「TrenchFET Gen IV」技術。これに、チップ面積当たりのオン抵抗を低減する「ThunderFET」技術を適用することで、オン抵抗と全ゲート電荷量、出力電荷量などの特性バランスを最適化したという。最大ドレイン電流は、連続時に19.5A、パルス時に25Aである。ゲート-ソース間電圧が+7.5Vのときのオン抵抗は63mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は14nC(標準値)。出力電荷量は29nC(標準値)。入力容量は350pF(標準値)。出力容量は77pF(標準値)。帰還容量は10pF(標準値)。ゲート抵抗は2.3Ω(標準値)である。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。