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他社に先駆けて40nm RFCMOSで製造

 園田氏は、ユースケースに続き、3つの新製品それぞれの特徴を説明した。まず、レーダーレシーバーのTEF82xx。同氏によれば、NXPは、他社に先駆けてSiGe製が当たり前だったレーダートランシーバーをCMOS製にしたという。第2弾のTEF82xxは、40nm RFCMOSでの製造で他社に先駆けた。第1弾に比べてRF性能が2倍にすると共に、ターゲット周囲の位相ノイズを4分の1に低減した。TEF82xxは最大4個カスケード接続して、RF性能を高めることができる。最大4GHzの帯域幅を使用可能で、76G~81GHz帯の短/長距離アプリケーションをサポートする。TEF82xxファミリーは、送信チャネル数や接続インターフェースが異なる複数の製品からなる。

レーダーレシーバーのTEF82xxの概要
レーダーレシーバーのTEF82xxの概要
右が機能ブロック図。NXPのスライド
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 2つのレーダープロセッサーのうち、性能の高い方がS32R45。Arm系のプロセッサーで、CPUは4個のArm Cortex-A53と6個のArm Cortex-M7から成る。Cortex-A53は2個ずつがロックステップ動作可能で、最大2組のロックステップ処理を行える。また、Cortex-M7は2個ずつがロックステップ動作可能で、最大3組のロックステップ処理を行える。このほかに、行列演算などを高速実行する「Linear Algebra Accelerator(LAX) 1.0」を備える。16nm FinFETプロセスで製造する。8MバイトのSRAMを集積するが、フラッシュメモリーは内蔵していない。

レーダープロセッサーのS32R45の概要
レーダープロセッサーのS32R45の概要
NXPのスライド
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S32R45の機能ブロック図
S32R45の機能ブロック図
NXPの図
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