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 米Microchip Technology(マイクロチップ・テクノロジー)は、宇宙用途に向けて放射線耐性が高い64MビットNORフラッシュメモリー「SST38LF6401RT」を発表した(ニュースリリース)。商用品(いわゆるCOTS:Commercial Off-The-Shelf)の製造プロセスを改良して放射線耐性を高めたチップ。試作機には商用品を使い、実機には新製品を使うという開発スタイルが採れる。

新製品の「SST38LF6401RT」と応用イメージ
新製品の「SST38LF6401RT」と応用イメージ
Microchipのイメージ
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 子会社の米Silicon Storage Technology(シリコンストレージテクノロジー)のNORフラッシュメモリー「SuperFlash」の放射線耐性を高めた製品である。最大50kRad(バイアス時)/100kRad(非バイアス時)のTID(Total Ionizing Doze)に耐える。シングルイベント効果(SEE:Single Event Effect)に関しては、+125℃で78MeV・cm2/mgの線エネルギー付与(LET:Linear Energy Transfer)でもラッチアップは発生しないという。

 語構成は4M語×16ビット。書き込み寿命は1万回以上、データ保持期間は100年以上という。電源電圧は3.0~3.6V。アクティブ時電流は4mA(標準値)、スタンバイ時と自動低電力モード時電流は3μA(標準値)。JEDECのFlash EEPROM端子配置およびコマンドセットに互換である。パッケージは48ピンプラスチックTSOP、および48ピンセラミックDual Flat Packを用意する。

 SST38LF6401RTは現在セラミックパッケージ品をサンプル出荷中。評価ボードとデモソフトウエアを用意する。また、同社の耐放射線FPGA「RT PolarFire」や耐放射線MCU「SAMRH71」(ニュースリリース)と組み合わせるためのサポートソフトウエアも同社から提供される。新製品の量産開始時期および価格などは未公表。