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 米Efficient Power Conversion(EPC)は、オン抵抗が3.0mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの標準値)と低く、実装面積が2.5mm×1.5mmと小さい+40V耐圧のGaNパワートランジスタ(FET)「EPC2055」を発売した(ニュースリリース)。同社は、「eGaN(enhancement mode Gallium Nitride on Silicon)パワーFET」と呼ぶ。同社のCEOであるAlex Lidow氏は、「新製品は当社既存の+40V耐圧品に比べて、実装面積の小型化と、寄生成分の削減、コストの低減を図った。このためユーザーの設計者は、性能改善と低コスト化の両方が可能になる」という。

オン抵抗が3.0mΩが低く、実装面積が2.5mm×1.5mmと小さい+40V耐圧GaN FET
オン抵抗が3.0mΩが低く、実装面積が2.5mm×1.5mmと小さい+40V耐圧GaN FET
Efficient Power Conversionのイメージ
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 2つの用途に向くとする。1つは、小型化と高効率化が求められる用途。具体的には、USB Type-C仕様に準拠したバッテリー充電器(USB充電器)や、薄型POL(Point Of Load)コンバーターなどである。もう1つは、高いスイッチング速度と高効率化が求められる用途。具体的には、LED照明器具やモーター駆動機器、LiDAR(Light Detection And Ranging)、ロボット、ドローン、自律運転車などを挙げている。

 最大ドレイン電流は、連続時が29A、パルス時が161Aと大きい。全ゲート電荷量は6.6nC(標準値)。入力容量は841pF(標準値)。出力容量は408pF(標準値)。帰還容量は8.8pF(標準値)。ゲート抵抗は0.4Ω(標準値)。出力電荷量は13nC(標準値)。逆回復電荷量はゼロである。実装面積が2.5mm×1.5mmのGaN FETダイ上に表面保護膜(パッシベーション膜)を形成した後、6本のはんだバー(棒)を取り付けた形で出荷する。動作温度範囲は−40~+150℃である。価格は明らかにしていない。

 このほか、新製品を2つ使ってハーフブリッジ回路を構成したDC-DCコンバーター評価ボード「EPC90132」を発売した。外形寸法は50.8mm×50.8mm(2インチ×2インチ)。ジャンパー線の接続場所によって、降圧型と昇圧型のどちらかを選択できる。入力電圧範囲は+7.5〜12V。最大出力電流は25A。ゲートドライバーICには、台湾uPI Semiconductorの「uP1966A」を採用した。価格は明らかにしていない。

新製品の評価ボードの「EPC90132」
新製品の評価ボードの「EPC90132」
Efficient Power Conversionの写真
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