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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ・インターテクノロジー)は、オン抵抗が30mΩ(ドレイン-ソース間電圧が−10Vのときの最大値)と小さい−100V耐圧のパワーMOSFETを発売した(ニュースリリース)。pチャネル品である。パッケージは、実装面積が5.13mm×6.13mmと小さいPowerPAK SO-8L。同社によると「実装面積が同程度のpチャネル型の−100V耐圧品の中では、業界最小のオン抵抗を達成した」という。実装面積については、DPAK封止品と比べると50%、D2PAK封止品と比べると76%削減できる。

オン抵抗が30mΩと小さい−100V耐圧のpチャネル型パワーMOSFET
オン抵抗が30mΩと小さい−100V耐圧のpチャネル型パワーMOSFET
(出所:Vishay Intertechnology)
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 車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q100」に準拠する。耐圧が−100Vであるため、12Vや24Vのほかに、48Vの電源ラインにも適用できるという。pチャネル品のためチャージポンプ回路が不要で、nチャネル品を使う場合に比べて回路構成をシンプルにできるというメリットがある。逆極性保護回路や、バッテリーマネジメント回路、ハイサイド負荷スイッチ回路、LED照明の駆動回路などに向ける。

 トレンチ構造のパワーMOSFETである。型番は「SQJ211ELP」。最大ドレイン電流は、連続時に−33.6A、パルス時に−100A。全ゲート電荷量は45nC(標準値)。入力容量は2713pF(標準値)。出力容量は1193pF(標準値)。帰還容量は57pF(標準値)である。パッケージの端子形状はガルウイングである。このため、自動光学検査装置(AOI)ではんだ接合部を検査できるほか、「実装したプリント基板に対する機械的なストレスに対する耐性を高められる」(同社)。動作温度範囲は−55〜+175℃と広い。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。