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 米Micron Technology(マイクロンテクノロジー)は、第4世代10nmクラスプロセスでのDRAM量産を開始した(ニュースリリース:PDF)。DRAMを製造する10nmクラスプロセスは「1x」、「1y」、「1z」と改良されてきた。今回の第4世代の10nmクラスプロセスは「1α」と呼ぶ。

台湾にあるDRAMの先端工場「Micron Memory Taiwan」
台湾にあるDRAMの先端工場「Micron Memory Taiwan」
(出所:Micron Technology)
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 同社は第3世代の10nmクラスプロセスである1zでの製造を2019年8月に始めている。まず、16GビットLPDDR4X DRAM(ニュースリリース:PDF)と16GビットDDR4 DRAM(ニュースリリース:PDF)を1zで製造した。同社によれば、1zで製造するモバイルDRAMに比べて、1αで製造するモバイルDRAMは15%消費電力が低いという。1αでは8Gビットおよび16Gビットの容量のDRAMが製造される。また、1αではLPDDR5仕様で要求される十分な速度を実現できるとする。

 1αでの量産は同社の台湾工場で始まっている。まず、サーバー向けDDR4 DRAMおよびCrucialブランドのコンシューマー向けDDR4 DRAMを製造する。また、1αで製造したLPDDR4 DRAMのサンプル出荷も始まっており、顧客による検証が行われている。今後21年中に1αで製造した新製品を順次発表する予定である。

 なお、第4世代の10nmクラスプロセスでの製造を、競合の韓国Samsung Electronics(サムスン電子)は20年4月に始めている*。Samsungは1αではなく「D1a」と呼んでいる。D1aではEUV露光を初めてDRAM製造に採用した。一方、Micronは1αでは、EUVを使っていない。コンピュテーショナルリソグラフィーや液浸、4重マルチパターニングなどの技術を採用することで必要な解像度を確保しており、1αではEUV露光は適当な手段ではないとコメントしている(ブログ)。