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 東芝デバイス&ストレージは、電源回路から発生する放射電磁雑音(EMI)を低減できる+40V耐圧のパワーMOSFETに低オン抵抗品を追加した(ニュースリリース)。同社従来品のオン抵抗は1.2mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)だったが、新製品では0.74mΩ(同)に削減した。同社によると、「業界トップクラスの低オン抵抗を実現した。このため電源回路のEMIを抑えられると同時に、導通損失を低減できる」という。主な応用先は、スイッチング電源(AC-DCコンバーター)の2次側同期整流回路や、DC-DCコンバーター回路、モーター駆動回路である。

電源用途に向けた+40V耐圧nチャネル型パワーMOSFET
電源用途に向けた+40V耐圧nチャネル型パワーMOSFET
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 同社の低耐圧(+12〜300V)パワーMOSFETでは、ドレイン-ソース間に寄生する抵抗とコンデンサーによるスナバー回路の最適化方法の違いで2つのタイプを用意している。1つは、スイッチング時に発生するノイズやリンギングを抑える方向で回路定数を最適化した「低スパイクタイプ」。もう1つは、スイッチング損失を低減する方向で回路定数を最適化した「高効率タイプ」である。今回の新製品は前者の低スパイクタイプである。さらに今回は、低スパイクという特性はそのままに、素子構造や製造プロセスを見直すことでオン抵抗を低減したという。

スナバー回路の最適化でノイズを低減
スナバー回路の最適化でノイズを低減
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 新製品の型名は「TPHR7404PU」。nチャネル品である。トレンチ構造の低耐圧パワーMOSFETに向けた同社最新のプロセス技術「U-MOSIX-H」で製造した。ゲート駆動電圧は、「+6Vという低い電圧でも十分に導通(オン)させることが可能だ」(同社)という。新製品のこのほかの主な仕様は下表の通りである。すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。

新製品の主な仕様
新製品の主な仕様
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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