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 米Vishay Intertechnologyは、最大出力電流が100Aと大きいDrMOSモジュールを発売した(ニュースリリース)。DrMOSモジュールとは、ハイサイドとローサイドのパワーMOSFETに加えて、ドライバーチップを1パッケージに収めたもの。同社のDrMOSモジュールファミリー「VRPower」に含まれる製品である。米Intelや米Advanced Micro Devices(AMD)、米NVIDIAなどの最新マイクロプロセッサー(MPU)/GPUなどに電力を供給するマルチフェーズ(多相)の降圧型DC-DCコンバーター回路に向ける。具体的な応用先は、ハイパフォーマンスコンピューターや第5世代(5G)移動通信システム向けインフラ装置などである。

最新MPU/GPUに向けた最大100A出力DrMOSモジュール
最新MPU/GPUに向けた最大100A出力DrMOSモジュール
(出所:Vishay Intertechnology)
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 搭載したハイサイドとローサイドのパワーMOSFETはどちらも、Vishayの「TrenchFET Gen IV」技術で製造したものだ。同社によると、「オン抵抗が低く、全ゲート電荷量が少ないため、導通損失とスイッチング損失の両方を抑えられる。この結果、様々な用途において93%を超える変換効率を達成することを可能にした」という。軽負荷時にはダイオード・エミュレーション・モードを採用した。このため、軽負荷時に発生する変換効率の大幅な低下を防止できたとしている。

 2製品を用意した。PWM制御ICとのインターフェースの電圧振幅が+5Vの「SiC840」と、+3.3Vの「SiC840A」である。入力電圧範囲はどちらも+4.5〜16V。最大スイッチング周波数は2MHzである。ローサイドスイッチ(パワーMOSFET)のオン抵抗を使って出力電流を検出する機能を搭載した。「一般に、出力電流の検出にはインダクターの直流抵抗(DCR)を利用するが、誤差が7%程度と大きい。ローサイドスイッチのオン抵抗を使えば誤差を3%程度に抑えられる」(同社)という。パッケージは2製品どちらも、外形寸法が5.0mm×6.0mm×0.75mmの65端PowerPAK MLP39。すでに量産出荷とサンプル出荷を始めている。価格は明らかにしていない。

 このほか、最大出力電流が最大70A品と最大80A品のDrMOSモジュールを併せて発売した。入力電圧範囲や、PWM制御ICとのインターフェースの電圧振幅の違いで8製品を用意した。詳細は以下の下表の通り。8製品いずれも、すでに量産出荷とサンプル出荷を始めている。価格は明らかにしていない。

今回発売した製品の型番と主な仕様
今回発売した製品の型番と主な仕様
(出所:Vishay Intertechnology)
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