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 米Vishay Intertechnologyは、競合他社品に比べてオン抵抗が28%低いというpチャネル型パワーMOSFETを発売した*。耐圧は−80Vである。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−10Vのときに、最大値が17.3mΩ、標準値が14.3mΩとどちらも低い。同社によると「車載機器向けでは、業界で最も低いオン抵抗だ」という。これで、導通損失が低減できるため、搭載した電子機器の電力損失を削減可能だとする。

オン抵抗を28%低減した−80V耐圧のpチャネル型パワーMOSFET
オン抵抗を28%低減した−80V耐圧のpチャネル型パワーMOSFET
(出所:Vishay Intertechnology)
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 動作温度範囲は−55~+175℃と広い。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。耐圧が−80Vであるため、+12Vや+24V、+48Vといった一般的な電源ラインに適用できる。具体的な応用先は、逆極性保護回路や、電池保護(バッテリーマネジメント)回路、ハイサイドスイッチ、LED照明用駆動回路などである。

 新製品の型番は「SQJA81EP」。トレンチ構造を採用する。最大ドレイン電流は、ピーク時に−130Aで、連続時に−46Aである。全ゲート電荷量は52nC(ゲート-ソース間電圧が−10Vのときの標準値)と小さい。このため、「オン抵抗と全ゲート電荷量の積である性能指数(FOM:Figure Of Merit)は業界トップクラスである」(同社)としている。

 パッケージは、実装面積が6.15mm×5.13mmと小さいPowerPAK SO-8Lである。一般的なパッケージであるDPAKに封止した製品と比較すると、実装面積を約50%削減できる。また、ガルウイング端子を採用しているため、自動光学検査装置(AOI:Automated Optical Inspection)を使ってはんだ接合部を確認することが可能だ。

 すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。