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 米IBMは2021年5月6日(現地時間)、2nm世代の製造プロセスで作製した半導体チップを発表した。同年後半に登場予定の同社のサーバー用プロセッサー「POWER 10」のような7nm世代品に比べて、同じ電力であれば演算処理性能が45%向上するという。あるいは同じ演算処理性能であれば、消費電力を75%削減できるとしている。

2nm世代の製造プロセスを適用したウエハー
2nm世代の製造プロセスを適用したウエハー
(出所:IBM)
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2nm世代の製造プロセスを適用したチップ
2nm世代の製造プロセスを適用したチップ
(出所:IBM)
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 詳細は不明だが、プレスリリースでは指の爪ほどのサイズの半導体チップに500億個のトランジスタを形成できるとしている。断面写真を見ると、2nm世代の製造プロセスではナノシートベースのGAA(Gate All Around)構造を採用しているようだ。

ナノシートベースのGAA(Gate All Around)構造とおぼしき断面
ナノシートベースのGAA(Gate All Around)構造とおぼしき断面
(出所:IBM)
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 IBMの半導体関連の研究所はニューヨーク州オールバニのSUNY Polytechnic Institute (SUNY Poly)の研究施設「Albany NanoTech Complex」にある。これまで、7nm世代や5nm世代の製造プロセス技術、DRAM関連の技術、銅配線技術などの成果を生んできた。今回の2nm世代の製造プロセスも、同研究所の成果である。

ニューヨーク州オールバニのIBMの半導体関連の研究所
ニューヨーク州オールバニのIBMの半導体関連の研究所
(出所:IBM)
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 Albany NanoTech Complexは研究開発と半導体チップの試作、学生や研究者の教育を行うための総合施設である。広さは165万平方フィート。設立以来、数十億米ドルが投資されたという。数百社のパートナー企業と、数千人の研究開発職を擁する。主要なパートナー企業として、IBMのほか、米GLOBALFOUNDRIESや韓国Samsung Electronics(サムスン電子)、米Applied Materials(アプライドマテリアルズ)、東京エレクトロン、オランダASMLなどが名を連ねる。もともとAlbany NanoTech Complexは、ニューヨーク州政府とState University of New York(SUNY、ニューヨーク州立大学)が主導して立ち上げたコンソーシアム「Albany NanoTech」の研究開発拠点として設立された。現在は、ニューヨーク州立大学がオールバニのSUNY College of Nanoscale Science and Engineering(CNSE、ナノスケール科学工学カレッジ)とユーティカのSUNY Institute of Technology(SUNYIT、ニューヨーク州立工科大学)を併合して14年に設立したSUNY Polyが管轄している。