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 キオクシアは2021年5月13日、研究開発拠点である横浜テクノロジーキャンパス(横浜市栄区)に技術開発新棟(仮称)を建設すると共に、横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点「新子安研究拠点(仮称)」を新設すると発表した(ニュースリリース)。技術開発新棟の建設と新子安研究拠点の整備に合計約200億円を投資する。共に稼働開始は23年の予定である。

 両施設の稼働によって、横浜市内と川崎市内に分散していた部門を集結させ、効率を高める。コラボレーションの活性化でイノベーションの創出につながる働きやすい環境が整備されて、フラッシュメモリーやSSDの研究・技術開発を強化し、新たな価値を提供する「記憶」技術の創造を目指すという。

 横浜テクノロジーキャンパスは、技術開発新棟の建設により、スペースが約2倍に拡張される。製品評価機能を拡充することで品質力の強化を図るほか、将来の人員増強によって製品開発を強化する。技術開発新棟は6階建てで、延べ床面積は約4万平方メートル。21年秋に着工し、23年夏に竣工の予定。なお、技術開発新棟は高効率な省エネルギー設備を備えた環境に配慮した設計を採用するという。

横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟(仮称)の完成イメージ
横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟(仮称)の完成イメージ
(出所:キオクシア)
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 新子安研究拠点では、先端研究用のクリーンルームを構築し、材料や新プロセスを中心とした幅広い研究に取り組む。この拠点は4階建てで、延べ床面積は約1万3000平方メートル。23年夏に稼働予定である。

新子安研究拠点(仮称)の完成イメージ
新子安研究拠点(仮称)の完成イメージ
(出所:キオクシア)
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