PR

 台湾TSMCは2021年6月1日から2日にかけて、最新技術の説明会「TSMC Unveils Innovations at 2021 Online Technology Symposium」をオンラインで開催し、同社の半導体の製造計画を明らかにした(ニュースリリース)。5G(第5世代移動通信システム)の高周波信号に対応する6nm世代プロセスの「N6RF」や、5nm世代プロセス「N5」で車載品質を担保する「N5A」などを発表。さらに3n~4nm世代プロセスの進捗(しんちょく)も示した。

 5G対応スマートフォンのチップなどに使うN6RFは、5G(ミリ波、Sub-6)とWi-Fi 6/6Eの無線周波数帯に対応しているという。N6RFトランジスタは、前世代の16nm世代プロセスのトランジスタよりも性能を16%以上向上できる他、消費電力とチップ面積を削減する。

 20年に同社が初めて量産化した5nm世代プロセスの車載向け版となるN5Aは、先進運転支援システム(ADAS)に必要な車載用集積回路(IC)を狙う。従来の5nm世代プロセスと同等の性能と電力効率を保ちながら、車載用ICの信頼性の規格「AEC-Q100」を満たせるチップを製造できるとする。

 4nm世代プロセス「N4」は、21年7~9月に試験生産を開始するとした。3nm世代プロセス「N3」は、22年の下半期に量産を開始する。N3はN5と比較して最大30%消費電力を削減でき、最大70%集積度を上げられるとしている。

 その他、3次元の集積技術も引き続き強化していくとした。例えば、「InFO_oS」と「CoWoS」と呼ぶ実装手法でレチクルの寸法を大きくして、より大きなダイを扱えるようにする。また、「CoW(Chip-on-Wafer)」と呼ぶ技術では、22年中にN7のウエハー上にN7のダイを載せられるようになる。さらに、スマートフォン向けの実装手法「InFO_B」では、プロセッサーSoCのパッケージにDRAMを載せられるようになるという。

■変更履歴
公開当初、製造プロセスを「x nm」としていましたが、より適切な表現である「x nm世代」に変更しました。[2021/06/07 10:30]