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 米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、オン抵抗が0.95mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)と低い+30V耐圧のパワーMOSFETを発売した ニュースリリース 。同社によると、「オン抵抗は当社従来品に比べると5%低い。同様な製品の中では、業界で最も低いオン抵抗を達成した」という。nチャネル品である。実装面積が3.3mm×3.3mmと小さいPowerPAK 1212-8Sに封止した。

オン抵抗が業界で最も低い+30V耐圧のパワーMOSFET
オン抵抗が業界で最も低い+30V耐圧のパワーMOSFET
(出所:Vishay Intertechnology)
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 新製品は、オン抵抗と全ゲート電荷量の積であるFOM(Figure Of Merit)が低いことも特徴である。ゲート-ソース間電圧が+4.5VのときのFOMは29.8mΩnCであり、「これも業界で最も低い値を達成した」(同社)という。このため、同期整流方式の降圧型DC-DCコンバーター回路やオアリング(ORing)回路、負荷スイッチなどに適用すれば、導通損失とスイッチング損失の両方を低減できる。具体的な応用先は、サーバーや通信/ネットワーク機器、RF無線通信機器などである。

 新製品の型番は「SiSS52DN」。同社最新のパワーMOSFET技術「TrenchFET Gen V」で製造した。最大ドレイン電流は連続時に162A、パルス時に250A。ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときのオン抵抗は1.5mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに19.9nC(標準値)。入力容量は2950pF(標準値)。出力容量は1035pF(標準値)。帰還容量は88pF(標準値)である。

 現在、サンプル出荷と量産出荷中。価格は明らかにしていない。