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 米Microchip Technology(マイクロチップ・テクノロジー)は、27.5G〜31GHzの周波数帯域(Ka帯)で使えるGaNパワーアンプMMICを発売した ニュースリリース 。SiC基板上にGaNパワーアンプ回路を作り込む0.15μmのGaN-on-SiCプロセス技術で製造した。同社がGaN MMICを製品化するのは今回が初めてである。新製品の特徴は、消費電力が少なく、軽量化が図れる点にある。同社によると「従来のGaAsパワーアンプMMICと比べると、消費電力と重さを約30%削減できる」という。具体的な応用先は、商用衛星通信や軍用衛星通信の地上局、5G(第5世代移動通信システム)向け通信機器などである。

Ka帯に向けたGaNパワーアンプMMIC
Ka帯に向けたGaNパワーアンプMMIC
(出所:Microchip Technology)
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 新製品の型番は「GMICP2731-10」。飽和出力は、27.5G〜31GHz の帯域幅にわたって39dBm(約10W)が得られる。電力付加効率(PAE)は20%(入力電力が24dBmのとき)。小信号利得は22dB(28GHzにおける値)。反射損失は15dBである。さらに「リニアリティー(直線性)が高いため、信号品質を犠牲にせずに高出力のRF信号を送信できる」(同社)という。

 平衡回路アーキテクチャーを採用する。このためRF入力とRF出力のどちらも特性インピーダンスは50Ωである。RF出力にDC(直流)ブロッキングコンデンサーを内蔵しているため、外付けで用意する必要はない。ドレインのバイアス電圧は+24V。消費電流は112m〜224mAの範囲である。すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。