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 オランダNexperia(ネクスペリア)は、オン抵抗が低い+100V耐圧のパワーMOSFETと+80V耐圧のパワーMOSFETを発売した ニュースリリース 。どちらもnチャネル品である。+100V耐圧品のオン抵抗は4.3mΩで、同社の既存+100V耐圧品の7mΩから約40%低減した(どちらもゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。+80V耐圧の新製品のオン抵抗は3.5mΩである(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。

オン抵抗が低い+80耐圧または100V耐圧のパワーMOSFET
オン抵抗が低い+80耐圧または100V耐圧のパワーMOSFET
(出所:Nexperia)
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 新製品では、同社独自のパワーMOSFET技術「NexPower」を採用することで、逆回復電荷量(Qrr)を抑えた。+100V耐圧品の逆回復電荷量は44nC、+80V耐圧品は29nCである(どちらも標準値)。「+100V耐圧品のQrrは業界最小クラスである。オン抵抗とQrrの積で求めるQrr性能指数(FOM:Figure Of Merit)は業界で最も低く、競合他社品に比べると61%低い」(同社)という。このため電圧スパイクや放射電磁ノイズ(EMI)を抑えられるとする。具体的な応用先は、AC-DCコンバーター(スイッチング電源)やDC-DCコンバーター、モーター制御回路などである。

 新製品の型番は+100V耐圧品が「PSMN3R9-100YSF」、+80V耐圧品が「PSMN3R5-80YSF」。「どちらも、英国のマンチェスター市に建てた200mm(8インチ)ウエハー工場で造った最初の製品である」(同社)という。+100V耐圧品の特性は以下の通り。最大ドレイン電流は連続時に120A、ピーク時に690A。全ゲート電荷量は120nC(標準値)。入力容量は7730pF(最大値)。出力容量は2140pF(標準値)。帰還容量は75pF(標準値)である。

 +100V耐圧品と+80V耐圧品のどちらも、パッケージはCuクリップ技術を適用したLFPAK56E。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。