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 独Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、宇宙航空用途に向けて、放射線耐性を備えた(RadTol)NOR型フラッシュメモリーを発表した ニュースリリース 。FPGAのコンフィギュレーションデータ(イメージデータ)、およびMCU(マイクロコントローラー)のデータやブートコードの格納に使う。

256Mビットの「CYRS16B256」
256Mビットの「CYRS16B256」
(出所:Infineon Technologies)
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512Mビットの「CYRS16B512」
512Mビットの「CYRS16B512」
(出所:Infineon Technologies)
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 米国の軍事仕様「MIL-PRF-38535」の航空宇宙グレードである「QML-V Flow」に準拠した。最大30krad(バイアス時)/125krad(非バイアス時)のTID(Total Ionizing Dose)という放射線に耐える。一方、重イオンのシングルイベント効果(SEE)の耐性は以下の通り。最大28MeV・cm2の線エネルギー付与(LET:Linear Energy Transfer)でも、ソフトエラーである「シングル・イベント・アップセット(SEU)」は発生しない。SEUの発生頻度は1×10-16/ビット/日以下。最大60MeV・cm2の線エネルギー付与(LET:Linear Energy Transfer)でも、ソフトエラーの一種である「シングル・イベント・ファンクショナル・インタラプト(SEFI:Single Event Functional Interrupt)」や「ラッチアップ」は発生しない(+85℃の場合)。

 今回の新製品は、+125℃の高温環境では、1000回のプログラム/消去のサイクルが可能で、データ保持期間は30年。+85℃の環境ならば、1万回のプログラム/消去サイクルが可能で、データ保持期間は250年である。

 メモリー容量が異なる2製品を用意した。256Mビットの「CYRS16B256」と512Mビットの「CYRS16B512」である。どちらの製品も65nmのフローティング・ゲート・プロセスで製造する。インターフェースはQuad SPI。読み出し時の信号周波数は最大133MHz。512MビットのCYRS16B512は、独立した2つの256Mビットメモリーを1パッケージに収めており、それぞれを個別に使ったり、両方を同じ内容にして片方をバックアップにしたりできる。米Xilinx(ザイリンクス)のFPGA「Kintex UltraScale XQRKU060」*のイメージデータならば、今回の新製品から最短0.2秒で送り込めるという。

 新製品の動作温度範囲は-55~+125℃。2製品どちらも24mm×12mmの36ピンのセラミック製フラットパッケージに封止する。

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