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 東芝デバイス&ストレージは、同社従来品に比べてコレクター電流を1.5倍に増やした+1350V耐圧のIGBTを発売した ニュースリリース 。連続(DC)時のコレクター電流(+100℃のとき)は30Aと大きい。同社従来品は20Aだった。このため「制御できる最大出力容量(電力)が大きくなり、2400Wの出力容量まで扱える」(同社)。具体的な応用先は、IH調理器やIH炊飯器、電子レンジなどである。

IH調理器に向けた+1350V耐圧IGBT
IH調理器に向けた+1350V耐圧IGBT
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 新製品は、同社の第6.5世代逆導通(RC:Reverse Conducting)構造を採用し、IGBTとフリー・ホイール・ダイオード(FWD)を1チップに集積した。交流(AC)200V入力の電圧共振型高周波インバーター回路のスイッチング素子として使える。電圧共振型の場合、スイッチング素子には比較的高いピーク電圧が印加されるため、AC200V入力の回路向けながら新製品は+1350Vと高い耐圧にした。

 新製品の型番は「GT30N135SRA」。コレクター-エミッター間飽和電圧(VCE(sat))は+1.65V(標準値)で、フリー・ホイール・ダイオードの順方向電圧降下(VF)は+1.75V(標準値)とどちらも低い。このため高周波インバーターに適用した場合、導通損失を低減できるという。パッケージはTO-247。最大動作接合部温度は+175℃である。新製品と同社従来品「GT20N135SRA」の主な仕様は下表の通りである。

新製品(左)と同社従来品(右)の主な仕様
新製品(左)と同社従来品(右)の主な仕様
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 新製品はすでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。

■変更履歴
この記事の掲載当初、新製品のIGBTの耐圧に誤りがありました。「1350kV」は誤りで、正しくは「1350V」でした。この誤りはタイトル、本文、および写真の説明文にありましたが、お詫びしてすべて訂正しました。現在の記事は訂正済みです。[2021/8/3 15:50]