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 独Infineon Technologies(インフィニオンテクノロジーズ)は、オン抵抗が低い+100V耐圧パワーMOSFETを発売した ニュースリリース 。同社の最新パワーMOSFETファミリー「OptiMOS 6」に含まれる製品である。オン抵抗は2.2mΩ(ゲート-ソース間電圧が+8Vのときの標準値)と低く、同社従来品「OptiMOS 5」と比べると約18%削減した。さらにオン抵抗と総ゲート電荷量(Qg)の積である性能指数(FOM)についても、同社従来品に比べて29%改善した。このため電源回路の導通損失とスイッチング損失の両方を減らせる。

オン抵抗が2.2mΩと低い+100V耐圧のパワーMOSFET
オン抵抗が2.2mΩと低い+100V耐圧のパワーMOSFET
(出所:Infineon Technologies)
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 例えば、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)方式を採用した600W出力の昇降圧型DC-DCコンバーター(−36〜60V入力、+12V入力)に新製品を適用した場合、同社従来品を使ったときと比べると変換効率を1ポイント高められる。これは電力損失に換算すると7W削減することに相当する。出力電力密度に換算すれば15%高められることになる。テレコム機器や電動工具、ドローン、ロボットなどに搭載する、スイッチング周波数が高いDC-DCコンバーター回路に向ける。

 新製品の型番は「ISC022N10NM6」。nチャネル型である。連続時の最大ドレイン電流は230A。ゲート-ソース間電圧が+10Vのときのオン抵抗は1.8mΩ(標準値)。総ゲート電荷量は73nC(標準値)。ゲート-ドレイン間電荷量(Qgd)は11.9nC(標準値)。パッケージは、実装面積が5mm×6mmのSuperSO8(8端子TSON)である。

 このほか同社は、パッケージが5mm×6mmのSuperSO8でオン抵抗が異なる製品や、実装面積が3.3mm×3.3mmの8端子PQFNに封止した製品などを用意している。いずれも、すでに販売を開始している。価格は明らかにしていない。