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 米Transphorm(トランスフォーム)は、オン抵抗が35mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)と低い、車載向け+650V耐圧GaNパワートランジスタ(GaN FET)を発売した ニュースリリース 。オン抵抗が低いことに加えて、最大動作温度が+175℃と高いことも特徴である。同社によると、「SiパワーMOSFETに比べると最大動作温度は+25℃高く、競合他社のGaN FETはまだ+175℃動作を実現できていない」という。

オン抵抗が35mΩと低い車載向けGaN FETの応用イメージ
オン抵抗が35mΩと低い車載向けGaN FETの応用イメージ
電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)などに向ける。(出所:Transphorm)
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 車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)などに向ける。「EVの駆動系回路にGaN FETを適用すれば高効率化できるため、バッテリーの小型化、もしくは航続距離の延長を実現できる。またスイッチング周波数を高められるため出力電力密度が向上し、小型化と軽量化が可能になる」(同社)。応用先は、オンボード充電器(OBC)や、車載用DC-DCコンバーター、トラクションインバーターなどである。

 新製品は同社の第4世代GaN FET技術「SuperGaN Gen IV」で製造した。型番は「TP65H035G4WSQA」。最大ドレイン電流は連続時に47.2A。全ゲート電荷量(Qg)は22nC(標準値)。出力電荷量(Qoss)は150nC(標準値)。「オン抵抗と出力電荷量の積で求める性能指数(FOM)は、SiCパワーMOSFETと比べると27〜38%優れている」(同社)。パッケージはTO-247。動作温度範囲は−55〜+175℃である。出荷は2021年12月初旬に開始する予定。価格は明らかにしていない。

新製品のパッケージと内部構造
新製品のパッケージと内部構造
パッケージはTO-247。GaN FETに低耐圧SiパワーMOSFETをカスコード接続することでノーマリーオフを実現した。(出所:Transphorm)
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