韓国Samsung Electronics（サムスン電子）は、自動車向けメモリーの新製品を一気に4つ発表した ニュースリリース 。同社によれば、クルマの電動化やADAS／自動運転の進展などにより、車載メモリーの更新サイクルの短縮が起きている。以前は7～8年だったものが、最近は3～4年になっているという。
更新サイクルの短縮により新製品の需要が高まっていることから、今回、同社は車載向けメモリー製品を一度に4つも発表したようだ。4製品は以下の通り。256GバイトのSSD、2GバイトのGDDR6型DRAM、2GバイトのDDR4型DRAM、128GバイトのUFS（Universal Flash Storage）規格のフラッシュストレージである。
4製品のうち、256GバイトのSSDはPCI Express Gen3ベースのNVMe対応のBGAパッケージで提供される。同社独自のSSDコントローラーとファームウエアを搭載しており、シーケンシャル読み出し速度は2.1Gバイト／秒、シーケンシャル書き込み速度は300Mバイト／秒。現在自動車向けで利用されているeMMCと比較して、それぞれシーケンシャル読み出し速度は7倍、シーケンシャル書き込み速度は2倍高いという。
2GバイトのGDDR6型DRAMのピン当たり転送速度は14Gビット／秒である。この2GバイトのGDDR6型DRAMと2GバイトのDDR4型DRAMの組み合わせは、高性能のインフォテインメントシステムに向くという。また、2GバイトのGDDR6型DRAMと128GバイトのUFSフラッシュストレージの組み合わせは、自動運転に向くとする。
今回の4製品はいずれも、車載用半導体ICの品質規格「AEC-Q100」に準拠する。動作温度範囲は－40～＋105℃である。顧客による評価が完了しており、現在量産中とする。
