米Vishay Intertechnology（ビシェイ・インターテクノロジー）は、オン抵抗が0.65mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときの標準値）と低い＋60V耐圧パワーMOSFETを発売した ニュースリリース 。同社従来品に比べるとオン抵抗を54％削減した。通信機器や産業機器に搭載されたDC-DCコンバーター回路の同期整流用スイッチや、オアリング（ORing）回路、モーター駆動回路、バッテリーマネジメント用スイッチなどに向ける。
同社のパワーMOSFET用プロセス技術「TrenchFET Gen IV」で製造した。プロセス技術の改善や、パッケージの工夫などでオン抵抗を削減した。パッケージは、外形寸法が8mm×7.9mm×1.8mmのPowerPAK 8×8L。「実装面積が15.2mm×10.0mm×4.4mmのD2PAK（TO-263）封止品と比べると、実装面積と実装高さのどちらも約60％減削減できる」（同社）。
新製品の型番は「SiJH600E」。nチャネル品である。最大ドレイン電流は373A。全ゲート電荷量は141nC（標準値）。入力容量は9950pF（標準値）。出力容量は2575pF（標準値）。帰還容量は78pF（標準値）。動作接合部温度範囲は−55〜＋175℃と広い。
このほか、オン抵抗が1.22mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときの標準値）の＋80V耐圧パワーMOSFET「SiJH800E」を併せて発売した。同社従来品に比べるとオン抵抗を52％削減した。nチャネル品である。最大ドレイン電流は299A。パッケージは、外形寸法が8mm×7.9mm×1.8mmのPowerPAK 8×8Lである。
2製品どちらもすでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。
