米pSemi（ピーセミ）は、マッシブMIMO（Multi Input Multi Output）対応の5G通信インフラ機器に向けて、RFスイッチICの新製品を発売した ニュースリリース 。特徴は2つある。1つは線形性（リニアリティー）が高いこと。もう1つは、扱える電力が大きいことである。このため新製品を利用すれば、5G通信インフラ機器に搭載するビームフォーミング機能の帯域内伝送効率（スペクトル効率）を高められ、単位時間内により多くのデータを伝送できる。
新製品は、単極4投（SP4T：Single Pole 4 Throw）タイプのRFスイッチICである。使用可能な周波数範囲は1.8G～5GHz。5G通信の帯域（バンド）のn41（2.496G～2.690GHz）、n77（3.3G～4.2GHz）、n78（3.3G～3.8GHz）、n79（4.4G～5.0GHz）に適用できる。
扱える電力などの違いで2つの製品を用意した。1つは、扱える電力の実効値が37dBmで、ピーク値が45dBmの「PE42443」。もう1つは、扱える電力の実効値が40dBmで、ピーク値が50dBmの「PE42444」である。線形性を表すパラメーターの1つである入力の第3次インターセプトポイント（IIP3）は、2製品どちらも85dBmと高い。挿入損失は0.5dB。DCブロッキングキャパシターを各RF端子に接続する必要はない。
パッケージは2製品どちらも、実装面積が4mm×4mmの20端子LGA．最大動作温度は＋105℃。すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。なお、新製品の製造プロセスは、RF用途に向けた同社独自のSOI（Silicon On Insulator）技術「UltraCMOS」である（サファイア基板を採用しているため、SOS（Silicon On Sapphire）プロセス技術とも呼ばれる）。また、集積したFETの線形性を高める同社独自技術である「HaRP」を採用した。
