米Vishay Intertechnology（ビシェイ・インターテクノロジー）は、＋600V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFETの新製品を発売した ニュースリリース 。特徴は、オン抵抗と全ゲート電荷量の積で求める性能指数（FOM：Figure Of Merit）が2.8Ω×nCと、業界で最も小さいことである。「市場にあるFOMが最も小さい競合他社品と比べて、新製品のFOMは約3.4％小さい」（同社）。
ハードスイッチング方式のスイッチング電源（AC-DCコンバーター）や力率改善（PFC：Power Factor Correction）回路などに向ける。「こうした用途に適用すれば、導通損失とスイッチング損失の両方を削減でき、変換効率を高められる」（同社）。具体的な応用先は、通信機器用電源や、サーバー用電源、照明器具、溶接機、誘導加熱装置、モーター駆動機器、バッテリー充電器、太陽発電用インバーター装置などである。
新製品は、同社のパワーMOSFETファミリー「600V Eシリーズ」に含まれ、第4世代品に当たる。型番は「SiHK045N60E」で、nチャネル品である。最大ドレイン電流は48A。オン抵抗は、43mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときの標準値）と低く、同社従来品（第3世代品）に比べて約27％削減した。全ゲート電荷量は、同社従来品比で約60％減の65nC（標準値）である。出力容量は117pF（標準値）と少ない。パッケージは、実装面積が11.68mm×9.90mmのPowerPAK 10×12。動作接合部温度範囲は−55〜＋150℃。接合部とケースの間の熱抵抗（RthJC）は0.45℃／Wで、「競合他社品に比べると11.8％低い」（同社）。
すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。
