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 米Microchip Technology(マイクロチップ・テクノロジー)は、+3.3kVの高耐圧SiCパワーMOSFETの新製品を発売した ニュースリリース 。スマートグリッド用送配電機器や鉄道車両用インバーター、太陽光発電システム用インバーター、電気自動車(EV)用充電器、産業用モーター駆動機器、誘導加熱装置などに向ける。

3.3kV耐圧SiCパワーMOSFETと応用先のイメージ
3.3kV耐圧SiCパワーMOSFETと応用先のイメージ
(出所:Microchip Technology)
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 オン抵抗が25mΩ(ゲート-ソース間電圧が+20Vのときの標準値)と低いことが、新製品の特徴である。同社によると「+3.3kV耐圧品では、業界で最も低いオン抵抗」という。また、入出力容量と全ゲート電荷量が少ないことも特徴である。入力容量は8720pF(標準値)。出力容量は194pF(標準値)。全ゲート電荷量は410nC(標準値)である。このため、電源回路の導通損失とスイッチング損失の両方を減らせる。上記の応用機器に新製品を搭載すれば、小型軽量化や高効率化を図れるという。

 新製品の型番は「MSC025SMA330」。nチャネル品である。最大ドレイン電流は連続時に104A、パルス時に240Aである。パッケージは4端子TO-247。ベアダイの状態でも供給する。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。

 このほか同社は、+3.3kV耐圧のSiCショットキー・バリアー・ダイオード(SBD)「MSC090SDA330」を併せて発売した。特徴は、順方向電流が90A(最大値)と大きいことである。このため、並列に接続するダイオードの個数を減らすことができ、応用機器の小型軽量化に貢献するという。順方向電圧は+2.1V(標準値)。パッケージは2端子T-MAX。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。